盡管測量金屬薄膜比較困難,但仍有簡單的解決方案。“他們已經(jīng)著眼于非常薄的薄膜,并且已經(jīng)了解如何克服測量非常薄的、多晶金屬薄膜時(shí)遇到的難點(diǎn)。同樣,晶粒尺寸會影響金屬薄膜的介電特性,為了對金屬薄膜進(jìn)行更好地光學(xué)測量,他們已了解了如何克服會遇到的難點(diǎn)。”Diebold教授說。
這些技術(shù)可以被移植,并且易于根據(jù)半導(dǎo)體測量進(jìn)行調(diào)整。它們都將是新實(shí)驗(yàn)室一個(gè)很重要的研究部分。美國托萊多大學(xué)(The University of Toledo)的Rob Collins教授研究了許多種材料,并且確定了如何利用晶粒尺寸對薄膜光學(xué)特性的影響,其方法與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)非常吻合。
在非線性領(lǐng)域中,同樣的光強(qiáng)——波長——輸入會得到不同波長的輸出。為什么要超越線性測量呢?一個(gè)主要的原因是界面總是很難表征,并且二次諧波的產(chǎn)生(SHG)總會帶來這樣的問題。SHG的頻率與輸入光不同,而是輸入頻率的2倍,即2次諧波。
盡管SHG信號強(qiáng)度比輸入信號弱許多,但是在某種特定的實(shí)驗(yàn)條件以及輸入輸出光的極化作用下,我們還是可以在界面獲得較高的靈敏度。相對于線性光學(xué)方法,由光學(xué)非線性二次諧波帶來的附加靈敏度是相當(dāng)可觀的。
SHG應(yīng)用的一個(gè)經(jīng)典例子是SiO2/Si界面特性的表征。德州大學(xué)(University of Texas)奧斯汀分校的Micheal Downer教授的小組將此方法拓展并應(yīng)用到硅上的高k材料。同樣的概念對于所有納米級的樣品也適用。
納米級結(jié)構(gòu)也將是該新實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)研究領(lǐng)域。嵌入在SiO2中的硅納米點(diǎn)便是SHG測量方法在此領(lǐng)域的一個(gè)實(shí)例。納米點(diǎn)具有很大的表面積,會產(chǎn)生高強(qiáng)度的二次諧波信號,該信號可用于多種光學(xué)特性的表征。納米點(diǎn)已經(jīng)試驗(yàn)性地用在未來的存儲器概念中;它們也正用于生產(chǎn)高效率,低能耗的商用固態(tài)照明器件。
該研究的主要目的是采用線性和非線性光學(xué)方法來探索材料中不同的納米尺寸效應(yīng)。這些線性和非線性光學(xué)方法既可用于了解新材料的特性,也可用于確定這些特性如何用于材料特性的一致性測量,結(jié)構(gòu)特征的一致性測量以及最終生產(chǎn)中所有的納米級測量