牛津儀器 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）PlasmaPro 100
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簡介：設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。 高質量的薄膜，高產(chǎn)量和出色的均勻性 電極的適用溫度范圍寬 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓 可快速更換硬件...
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- 產(chǎn)品介紹
設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。
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高質量的薄膜，高產(chǎn)量和出色的均勻性
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電極的適用溫度范圍寬
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兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
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可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓
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成本低且易于維護
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電阻絲加熱電極，最高溫度可達400°C或1200°C
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實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝
應用
- 高質量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途
- 用于高亮度LED 生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
特點
通過均勻的高導通路徑連接的腔室，將反應粒子輸送到襯底
在維持低氣壓的同時，允許使用較高的氣體通量
高度可變的下電極
充分利用等離子體的三維特性，在最優(yōu)的高度條件下，襯底厚度最大可達10mm
電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過液氮，液體循環(huán)制冷機或電阻絲加熱
可選的吹排及液體更換單元可自動進行模式切換
由再循環(huán)制冷機單元供給的液體控溫的電極
出色的襯底溫度控制
射頻功率加載在噴頭上，同時優(yōu)化氣體輸送
提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應力
ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm
確保最大200mm晶圓的工藝均勻性
高抽氣能力
提供了更寬的工藝氣壓窗口
晶圓壓盤與背氦制冷
更好的晶片溫度控制
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