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多角度激光橢偏儀 SE 400adv PV

名稱:涂鍍層測(cè)厚儀

品牌:

型號(hào):

簡(jiǎn)介:SE 400adv PV 隨機(jī)攜帶適用于絨面多晶硅和單晶硅的樣品臺(tái),特別適用于晶硅太陽(yáng)能電池絨面上的減反膜測(cè)量,激光橢偏儀SE 400adv PV 多角度激光橢偏儀SE 400adv-PV能夠測(cè)量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù),使用632.8nm波長(zhǎng)...

  • 產(chǎn)品介紹

SE 400adv PV 隨機(jī)攜帶適用于絨面多晶硅和單晶硅的樣品臺(tái),特別適用于晶硅太陽(yáng)能電池絨面上的減反膜測(cè)量,激光橢偏儀SE 400adv PV

激光橢偏儀


  多角度激光橢偏儀SE 400adv-PV能夠測(cè)量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù),使用632.8nm波長(zhǎng)氦氖激光器,具有極高的精確度和準(zhǔn)確度。SE 400adv-PV專門(mén)針對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池絨面上的減反膜測(cè)量,具有業(yè)內(nèi)最高的精度和穩(wěn)定性。SE 400adv-PV的功能基于橢圓偏振光原理,一種使用激光偏振光的非接觸光學(xué)反射測(cè)量方式。其主要特點(diǎn)如下
SE 400adv不僅能測(cè)量單晶硅樣片,還能測(cè)量多晶硅樣片;(我們可提供真實(shí)樣片測(cè)試報(bào)告供參考,用戶也可提供樣片、我們幫助測(cè)量)
SE 400adv能測(cè)量實(shí)際工藝線生產(chǎn)的產(chǎn)品、即粗糙表面的“絨片”(如Textured Silicon),這是業(yè)界唯一的;對(duì)拋光片的測(cè)量精度、準(zhǔn)確度也是業(yè)界第一;
(我們可提供真實(shí)樣片測(cè)試報(bào)告供參考,用戶也可提供樣片、我們幫助測(cè)量)
SE 400adv 配有高靈敏度、低噪聲探測(cè)器,特別適用于對(duì)太陽(yáng)能電池粗糙表面減反膜造成的低反射光強(qiáng)進(jìn)行測(cè)量;
SE 400adv 可對(duì)太陽(yáng)能電池粗糙表面減反膜造成的退偏因數(shù)(偏振因數(shù))進(jìn)行測(cè)量和評(píng)估,提高測(cè)量精度;
SE 400adv 配置有高穩(wěn)定度補(bǔ)償器,保證了Psi角度的測(cè)量范圍為0-90°、Delta角度的測(cè)量范圍為0-360°;此外補(bǔ)償器可減小環(huán)境溫度變化帶來(lái)的影響,即使Delta為0度仍可提供最小的漂移值和最小的測(cè)量誤差;
SE 400adv 配置有高精度的自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡(ACT),使載物臺(tái)的高度、傾斜度調(diào)整精度、靈敏度達(dá)到最高;配置有計(jì)算機(jī)控制分析器等精密光學(xué)組件,保證測(cè)量的精度;
SE 400adv 可進(jìn)行40°-90°范圍內(nèi)的多角度測(cè)量;
SENTECH 與其中國(guó)總代理北京東方中科集成科技有限公司,在國(guó)內(nèi)設(shè)有技術(shù)服務(wù)中心,工程師都通過(guò)在德國(guó)原廠培訓(xùn)、具備很強(qiáng)的技術(shù)能力和豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),能為用戶提供完善的售前技術(shù)支持、設(shè)備安裝調(diào)試、現(xiàn)場(chǎng)使用與維護(hù)培訓(xùn)、售后保修維修、應(yīng)用答疑等服務(wù);

激光橢偏儀

激光橢偏儀
提供中文操作手冊(cè);
規(guī)格:
• 激光波長(zhǎng)632.8 nm
• 150 mm (z-tilt) 載物臺(tái)
• 入射角度可調(diào),步進(jìn)5º
• 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡/顯微鏡,用于樣品校準(zhǔn)
SE 400advanced軟件特征:
• 預(yù)先定義應(yīng)用
• 多角度測(cè)量
• 廣泛的材料數(shù)據(jù)庫(kù)
• 擬合狀況的圖形反饋
• 支持多種語(yǔ)言
基本技術(shù)指標(biāo):

ψ, Δ精度, 90° 入射角:
 δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°
 長(zhǎng)時(shí)穩(wěn)定性2):
 δ(ψ)=±0.1°, δ(Δ)=±0.1°
 膜厚精度1)
 0.1Å,對(duì)100nm單晶硅片上的SiO2薄膜標(biāo)準(zhǔn)樣片;
 折射率精度1) 
 5×10-4對(duì)100nm單晶硅片上的SiO2薄膜標(biāo)準(zhǔn)樣片;
 
  1) 精度定義為30次測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)差
  2) 長(zhǎng)時(shí)穩(wěn)定性定義為24小時(shí)內(nèi)90°位置測(cè)量的偏差
選項(xiàng)
  •手動(dòng)(自動(dòng))x-y方向移動(dòng)載物臺(tái),行程150 mm
  •地貌圖 選項(xiàng) (x-y方向, 最大行程200 mm, 帶有真空吸附接口)
  •攝象頭選項(xiàng),用于取代目鏡進(jìn)行樣品對(duì)準(zhǔn)
  •反射式膜厚儀FTPadvanced,光斑直徑80微米(可適用于光滑透明襯底上  •模擬軟件

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